型号PAA12400BM3参数

• PN Junction Semiconductor
• 1200V HALF-BRIDGE
• 托盘: ￥5,914.72000
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: 2 个 N 通道（半桥）
• FET 功能: 碳化硅（SiC）
• 漏源电压（Vdss）: 1200V（1.2kV）
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 350A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.3毫欧 @ 300A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 100mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: -
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 29.5pF @ 1000V
• 功率 - 最大值: -
• 工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型: 底座安装
• 封装/外壳: 模块
• 供应商器件封装: 模块