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PMWD30UN
型号：PMWD30UN
描述：Philips Semiconductors
厂商：Dual uTrenchMOS Ultra Low Level FET
PDF大小：242 K
页数：12 页
型号PMWD30UN,518参数
- NXP USA Inc.
- MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
- 产品状态: 停产
- FET 类型: 2 N-通道（双）
- FET 功能: 逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 33 毫欧 @ 3.5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 700mV @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 28nC @ 5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1478pF @ 10V
- 功率 - 最大值: 2.3W
- 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商器件封装: 8-TSSOP
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PMWD30UN |
| 5500 | NXP | - | - | MOSFET, N, TSSOP-8 Transistor Polarity:N Drain Source Voltage Vds:30V On Resistance Rds(on):0.03 | |
| PMWD30UN |
| 5500 | NXP | - | - | MOSFET, N, TSSOP-8 Transistor Polarity:N Drain Source Voltage Vds:30V On Resistance Rds(on):0.03 | |
| PMWD30UN | | 5500 | NXP | - | - | MOSFET, N, TSSOP-8 Transistor Polarity:N Drain Source Voltage Vds:30V On Resistance Rds(on):0.03 | |
| PMWD30UN |
| 5500 | NXP | - | - | MOSFET, N, TSSOP-8 Transistor Polarity:N Drain Source Voltage Vds:30V On Resistance Rds(on):0.03 | |
| PMWD30UN,118 |
| 500 | - | - | 最新批号 | 原装现货 | |
| PMWD30UN,518 |
| 500 | - | - | 最新批号 | 原装现货 |
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