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型号:PHT6N03TTR

描述:Philips Semiconductors

厂商:TrenchMOS transistor Standard level FET

PDF大小:57 K

页数:10 页

 型号PHT6NQ10T,135参数

  • Nexperia USA Inc.
  • MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
  • 剪切带(CT): ¥6.99000,卷带(TR): ¥2.95665
  • 产品状态: 在售
  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 90 毫欧 @ 3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 21 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值): ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 633 pF @ 25 V
  • FET 功能: -
  • 功率耗散(最大值): 1.8W(Ta),8.3W(Tc)
  • 工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 供应商器件封装: SOT-223
  • 封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
PHT6N03TTR

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