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型号:PHKD3NQ10T

描述:Philips Semiconductors

厂商:Dual N-channel TrenchMOS Transistor

PDF大小:79 K

页数:7 页

 型号PHKD6N02LT,518参数

  • Nexperia USA Inc.
  • MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
  • 散装: ¥1.92343
  • 产品状态: 停产
  • FET 类型: 2 N-通道(双)
  • FET 功能: 逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.9A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 @ 3A,5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 15.3nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 950pF @ 10V
  • 功率 - 最大值: 4.17W
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装: 8-SO
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