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P2008AF-08SR

型号:P2008AF-08SR

描述:Alliance Semiconductor Corporation

厂商:General Purpose EMI Reduction IC

PDF大小:- K

页数:- 页

 型号P2000DL45X168HPSA1参数

  • Infineon Technologies
  • PRESS PACK IGBT
  • 托盘: ¥80,221.90000
  • 系列: -
  • 产品状态: 在售
  • IGBT 类型: 沟道
  • 配置: 单路
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 4500 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2000 A
  • 功率 - 最大值: -
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值): 2.5V @ 15V,2000A
  • 电流 - 集电极截止(最大值): 200 μA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies): 420 nF @ 25 V
  • 输入: 标准
  • NTC 热敏电阻: 无
  • 工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 底座安装
  • 封装/外壳: TO-200AF
  • 供应商器件封装: BG-P16826K-1
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
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