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NESG2031M16FB-T3

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型号:NESG2031M16FB-T3

描述:NEC Corporation

厂商:NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-gain Amplification 6-pin Lead-less Minimold (M16, 1208 Pa

PDF大小:63 K

页数:7 页

 型号NESG7030M04-A参数

  • CEL
  • RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • 晶体管类型: NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 4.3V
  • 频率 - 跃迁: 5.8GHz
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
  • 增益: 14dB ~ 21dB
  • 功率 - 最大值: 125mW
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 @ 5mA,2V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30mA
  • 工作温度: 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: SOT-343F
  • 供应商器件封装: M04
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
NESG2031M16FB-T3

500 - - 最新批号 最新供应

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