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NE699M01-T1
型号：NE699M01-T1
描述：NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.
厂商：NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
PDF大小：50 K
页数：6 页
型号NE696M01-T1-A参数
- CEL
- TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-363
- 系列: -
- 产品状态: 停产
- 晶体管类型: NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: 6V
- 频率 - 跃迁: 14GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: 1.6dB @ 2GHz
- 增益: -
- 功率 - 最大值: 150mW
- 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 80 @ 10mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 30mA
- 工作温度: -
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装: SOT-363
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NE699M01-T1
|
| 1000 | NEC | SOT-363 | 最近三年内 | - | |
| NE699M01-T1
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| 1000 | NEC | SOT-363 | 最近三年内 | - |
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热门型号:
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