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NE68139-T1
型号：NE68139-T1
描述：NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.
厂商：NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
PDF大小：196 K
页数：20 页
型号NE68139-T1参数
- CEL
- RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143R
- 系列: -
- 产品状态: 停产
- 晶体管类型: NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: 10V
- 频率 - 跃迁: 9GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz
- 增益: 13.5dB
- 功率 - 最大值: 200mW
- 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 50 @ 7mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 65mA
- 工作温度: 150°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: TO-253-4，TO-253AA
- 供应商器件封装: SOT-143
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NE68139-T1
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| 1000 | CEL | 原厂封装 | 16+/17+ | - | |
| NE68139-T1
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| 1000 | CEL | 原厂封装 | 16+/17+ | - | |
| NE68139-T1-A
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| 1000 | CEL | 原厂封装 | 16+/17+ | - | |
| NE68139-T1-A
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| 1000 | CEL | 原厂封装 | 16+/17+ | - | |
| ne68139-t1-r37-a
|
| 1000 | CALIFORNIA EASTERN LAB | - | - | - | |
| ne68139-t1-r37-a
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| 1000 | CALIFORNIA EASTERN LAB | - | - | - |
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热门型号:
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