你好,欢迎访问达普芯片交易网!|  电话:010-82614113

如您有本站未收集的PDF资料,您可在线上传该PDF资料以让更多人共享您的资源,谢谢!

达普首页 > PDF首页  > 模拟类  > 瞬态电压抑制器  > NE321000 PDF资料

型号:NE321000

描述:NEC Corporation

厂商:C To Ka Band Super Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET Chip

PDF大小:48 K

页数:12 页

 型号NE3210S01-T1B参数

  • CEL
  • FET RF 4V 12GHZ S01
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • 晶体管类型: HFET
  • 频率: 12GHz
  • 增益: 13.5dB
  • 电压 - 测试: 2 V
  • 额定电流(安培): 15mA
  • 噪声系数: 0.35dB
  • 电流 - 测试: 10 mA
  • 功率 - 输出: -
  • 电压 - 额定: 4 V
  • 封装/外壳: 4-SMD
  • 供应商器件封装: SMD
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
NE321000

1000 进口全新 PDF 08+ -

留言

NE321000

1000 进口全新 PDF 08+ -

点击这里给我发送消息

留言

第1页

第2页

第3页

第4页

第5页

第6页

第7页

第8页

第9页

第10页

第11页

第12页

在线人工客服

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

010-82614113

客服在线时间周一至周五
9:00-17:30