型号NTE4153NT1G参数

• onsemi
• MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
• 剪切带（CT）: ￥3.84000,卷带（TR）: ￥0.71129
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 915mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 230 毫欧 @ 600mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.1V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 1.82 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）: ±6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 110 pF @ 16 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 300mW（Tj）
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: SC-89-3
• 封装/外壳: SC-89，SOT-490