型号NTD18N06LT4G参数

• onsemi
• MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
• 剪切带（CT）: ￥7.68000,卷带（TR）: ￥3.26531
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 65 毫欧 @ 9A，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 22 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）: ±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 675 pF @ 25 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），55W（Tj）
• 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: DPAK
• 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63