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MDS80-1000

型号:MDS80-1000

描述:ST Microelectronics

厂商:DIODE / THYRISTOR MODULE

PDF大小:40 K

页数:4 页

 型号MDS800参数

  • Microsemi Corporation
  • RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55ST-1
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • 晶体管类型: NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 65V
  • 频率 - 跃迁: 1.09GHz
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -
  • 增益: 8.6dB
  • 功率 - 最大值: 1458W
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20 @ 1A,5V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 60A
  • 工作温度: 200°C(TJ)
  • 安装类型: 底座安装
  • 封装/外壳: 55ST-1
  • 供应商器件封装: 55ST-1
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
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