型号MCH6663-TL-W参数

• onsemi
• MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6
• 剪切带（CT）: ￥3.92000,卷带（TR）: ￥1.10627
• 系列: -
• 产品状态: 停产
• FET 类型: N 和 P 沟道
• FET 功能: 逻辑电平栅极，4V 驱动
• 漏源电压（Vdss）: 30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.8A，1.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 188 毫欧 @ 900mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.6V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 88pF @ 10V
• 功率 - 最大值: 800mW
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装: SC-88FL/MCPH6