型号MBR20035CT参数

• GeneSiC Semiconductor
• DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
• 散装: ￥692.22525
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• 二极管配置: 1 对共阴极
• 二极管类型: 肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 35 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200A（DC）
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 650 mV @ 100 A
• 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr): -
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 mA @ 20 V
• 工作温度 - 结: -
• 安装类型: 底座安装
• 封装/外壳: 双塔架
• 供应商器件封装: 双塔架