你好,欢迎访问达普芯片交易网!|  电话:010-82614113

如您有本站未收集的PDF资料,您可在线上传该PDF资料以让更多人共享您的资源,谢谢!

达普首页 > PDF首页  > 数字类  > 微控制器  > MTP3N60FI PDF资料

MTP3N60FI

型号:MTP3N60FI

描述:ST Microelectronics

厂商:N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor

PDF大小:375 K

页数:10 页

 型号MTP3055VL参数

  • onsemi
  • MOSFET N-CH 60V 12A TO220-3
  • 管件: ¥12.52000
  • 系列: -
  • 产品状态: 在售
  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 @ 6A,5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 10 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值): ±15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 570 pF @ 25 V
  • FET 功能: -
  • 功率耗散(最大值): 48W(Tc)
  • 工作温度: -65°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型: 通孔
  • 供应商器件封装: TO-220-3
  • 封装/外壳: TO-220-3
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
MTP3N60FI

1000 ON TO-220F 09+ -

点击这里给我发送消息

留言

MTP3N60FI

1000 ON TO-220F 09+ -

留言

在线人工客服

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

010-82614113

客服在线时间周一至周五
9:00-17:30