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MTD1N80E

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型号：MTD1N80E

描述：ON Semiconductor

厂商：TMOS E-FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount

PDF大小：269 K

页数：10 页

按技术分类

型号MTD1200M3B参数

Marktech Optoelectronics
SENSOR PHOTODIODE 925NM
散装: ￥16.08643
系列: -
产品状态: 在售
波长: 925nm
颜色 - 增强: -
频谱范围: 400nm ~ 1100nm
二极管类型: -
不同 nm 时响应度: -
响应时间: 2μs
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 20 V
电流 - 暗（典型值）: 500pA
有效面积: -
视角: 130°
工作温度: -20°C ~ 85°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: -

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型号	供应商	数量	厂商/品牌	封装	批号	说明	联系
MTD1N80E/T4	首天国际（深圳）科技有限公司	1000	原装进口	PDF	08+	-	留言
MTD1N80E/T4	元坤伟业(国际)科技有限公司销售二部	1000	原装进口	PDF	08+	-	留言
MTD1N80E1	元坤伟业(国际)科技有限公司销售二部	1000	OM	TO-251	最新批次	-	留言
MTD1N80E1	首天国际（深圳）科技有限公司	1000	OM	TO-251	最新批次	-	留言
MTD1N80EI	元坤伟业(国际)科技有限公司销售二部	1000	FAIRCHILD	TO-251	N/A	-	留言
MTD1N80EI	首天国际（深圳）科技有限公司	1000	FAIRCHILD	TO-251	N/A	-	留言

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