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MT3S07T

型号:MT3S07T

描述:Toshiba America, Inc.

厂商:Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type

PDF大小:172 K

页数:3 页

 型号MT3S20TU(TE85L)参数

  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • RF TRANS NPN 12V 7GHZ UFM
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • 晶体管类型: NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 12V
  • 频率 - 跃迁: 7GHz
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1.45dB @ 20mA,5V
  • 增益: 12dB
  • 功率 - 最大值: 900mW
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 50mA,5V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80mA
  • 工作温度: 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: 3-SMD,扁平引线
  • 供应商器件封装: UFM

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