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MT3S03AT
型号：MT3S03AT
描述：Toshiba America, Inc.
厂商：TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
PDF大小：234 K
页数：1 页
型号MT3S20TU(TE85L)参数
- Toshiba Semiconductor and Storage
- RF TRANS NPN 12V 7GHZ UFM
- 系列: -
- 产品状态: 停产
- 晶体管类型: NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: 12V
- 频率 - 跃迁: 7GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: 1.45dB @ 20mA，5V
- 增益: 12dB
- 功率 - 最大值: 900mW
- 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 50mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 80mA
- 工作温度: 150°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: 3-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装: UFM
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT3S03AT(TE85L)
|
| 1000 | TOSHIBA | - | - | - | |
| MT3S03AT(TE85L)
|
| 1000 | TOSHIBA | - | - | - | |
| MT3S03AT(TE85L.F)
|
| 1000 | TOSHIBA | - | 08+ | - | |
| MT3S03AT(TE85L.F)
|
| 1000 | TOSHIBA | - | 08+ | - | |
| MT3S03AT/MR
|
| 1000 | TOSHIBA | SOT-423 | 21+、22+ | - | |
| MT3S03AT/MR
|
| 1000 | TOSHIBA | SOT-423 | 21+、22+ | - |
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