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MRF5S21100LR3
型号：MRF5S21100LR3
描述：Motorola Inc.
厂商：RF Power Field Effect Transistor
PDF大小：204 K
页数：12 页
型号MRF5S9150HSR5参数
- NXP USA Inc.
- FET RF 68V 880MHZ NI-780S
- 系列: -
- 产品状态: 停产
- 晶体管类型: LDMOS
- 频率: 880MHz
- 增益: 19.7dB
- 电压 - 测试: 28 V
- 额定电流（安培）: -
- 噪声系数: -
- 电流 - 测试: 1.5 A
- 功率 - 输出: 33W
- 电压 - 额定: 68 V
- 封装/外壳: NI-780S
- 供应商器件封装: NI-780S
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRF5S21100LR3
|
| 1000 | M/A-COM | 高频管/射频管 | 08+ | - | |
| MRF5S21100LR3
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| 1000 | M/A-COM | 高频管/射频管 | 08+ | - |
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