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MRF5812R1

型号:MRF5812R1

描述:Advanced Power Technology (APT)

厂商:RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTOR

PDF大小:173 K

页数:5 页

 型号MRF5812R1参数

  • Microsemi Corporation
  • RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • 晶体管类型: NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 15V
  • 频率 - 跃迁: 5GHz
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
  • 增益: 13dB ~ 15.5dB
  • 功率 - 最大值: 1.25W
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 50 @ 50mA,5V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200mA
  • 工作温度: -
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装: 8-SO
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
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