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MRF581
型号：MRF581
描述：Advanced Power Technology (APT)
厂商：RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTOR
PDF大小：240 K
页数：6 页
型号MRF581参数
- Microsemi Corporation
- RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X
- 系列: -
- 产品状态: 停产
- 晶体管类型: NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: 18V
- 频率 - 跃迁: 5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
- 增益: 13dB ~ 15.5dB
- 功率 - 最大值: 1.25W
- 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 50 @ 50mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 200mA
- 工作温度: 150°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: 微型-X 陶瓷 84C
- 供应商器件封装: 微型-X 陶瓷 84C
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRF5812-R1 |
| 500 | - | - | 最新批号 | 原装现货 | |
| MRF581A-S |
| 500 | - | - | 最新批号 | 原装现货 | |
| MRF581/A
|
| 1000 | M/A-COM | 高频管/射频管 | 08+ | - | |
| MRF581/A
|
| 1000 | M/A-COM | 高频管/射频管 | 08+ | - | |
| MRF581/MRF581A
|
| 1000 | Microsemi Corporation | Datasheet | 07+ | - | |
| MRF581/MRF581A
|
| 1000 | Microsemi Corporation | Datasheet | 07+ | - |
热门型号:
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