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MRF21125SR3
型号：MRF21125SR3
描述：Motorola Inc.
厂商：RF Power Field Effect Transistor
PDF大小：444 K
页数：12 页
型号MRF282ZR1参数
- NXP USA Inc.
- FET RF 65V 2GHZ NI-200Z
- 系列: -
- 产品状态: 停产
- 晶体管类型: LDMOS
- 频率: 2GHz
- 增益: 11.5dB
- 电压 - 测试: 26 V
- 额定电流（安培）: -
- 噪声系数: -
- 电流 - 测试: 75 mA
- 功率 - 输出: 10W
- 电压 - 额定: 65 V
- 封装/外壳: NI-200Z
- 供应商器件封装: NI-200Z
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRF21125SR3
|
| 1000 | FREESCALE | 465C-02 | 最近三年内 | - | |
| MRF21125SR3
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| 1000 | FREESCALE | 465C-02 | 最近三年内 | - |
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