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MGV12N120D
型号：MGV12N120D
描述：ON Semiconductor
厂商：Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N-Channel Enhancement Mode Silicon Gate
PDF大小：83 K
页数：4 页
型号MGV125-20参数
- MACOM Technology Solutions
- VARACTOR DIODE,GAAS,HYPERABRUPT,
- 托盘: ￥164.48040
- 产品状态: 在售
- 不同?Vr、F 时电容: 0.55pF @ 4V，1MHz
- 电容比: 10
- 电容比条件: C2/C20
- 电压 - 峰值反向（最大值）: 22 V
- 二极管类型: 单路
- 不同 Vr、F 时 Q 值: 4000 @ 4V，50MHz
- 工作温度: -
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: 模具
- 供应商器件封装: 芯片
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MGV12N120D
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| 1000 | ON | TO268 | 07+/08+ | - | |
| MGV12N120D
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| 1000 | ON | TO268 | 07+/08+ | - |
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