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KSD227G
型号：KSD227G
描述：Fairchild Semiconductor
厂商：NPN Epitaxial Silicon Transistor
PDF大小：40 K
页数：4 页
型号KSD2012GTU参数
- onsemi
- TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
- 管件: ￥10.98000
- 系列: -
- 产品状态: 在售
- 晶体管类型: NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 3 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: 60 V
- 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）: 100μA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 150 @ 500mA，5V
- 功率 - 最大值: 25 W
- 频率 - 跃迁: 3MHz
- 工作温度: 150°C（TJ）
- 安装类型: 通孔
- 封装/外壳: TO-220-3 整包
- 供应商器件封装: TO-220F-3
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KSD227GTA_Q |
| 500 | - | - | 最新批号 | 最新供应 | |
| KSD227GBU
|
| 1000 | Fairchild Semiconductor | 原厂封装 | 16+/17+ | - | |
| KSD227GBU
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| 1000 | Fairchild Semiconductor | 原厂封装 | 16+/17+ | - |
热门型号:
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