型号J112参数

• onsemi
• JFET N-CH 35V 625MW TO92
• 散装: ￥3.69000
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 35 V
• 漏源电压（Vdss）: -
• 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 5 mA @ 15 V
• 漏极电流 (Id) - 最大值: -
• 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): 1 V @ 1 μA
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: -
• 电阻 - RDS(On): 50 Ohms
• 功率 - 最大值: 625 mW
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 通孔
• 封装/外壳: TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• 供应商器件封装: TO-92-3