型号IDB30E120ATMA1参数

• Infineon Technologies
• DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
• 剪切带（CT）: ￥18.66000,卷带（TR）: ￥10.99414
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• 二极管类型: 标准
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V
• 电流 - 平均整流 (Io): 50A（DC）
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.15 V @ 30 A
• 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr): 243 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 μA @ 1200 V
• 不同?Vr、F 时电容: -
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
• 供应商器件封装: PG-TO263-3-2
• 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C