型号IXKN75N60C参数

• IXYS
• MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
• 管件: ￥523.24000
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 36 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.9V @ 5mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 500 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: ±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: -
• FET 功能: 超级结
• 功率耗散（最大值）: 560W（Tc）
• 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 底座安装
• 供应商器件封装: SOT-227B
• 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC