你好,欢迎访问达普芯片交易网!|  电话:010-82614113

如您有本站未收集的PDF资料,您可在线上传该PDF资料以让更多人共享您的资源,谢谢!

达普首页 > PDF首页  > 数字类  > 锁存器  > IXFN34N80 PDF资料

型号:IXFN34N80

描述:IXYS Corporation

厂商:HiPerFET Power MOSFET Single Die MOSFET

PDF大小:129 K

页数:4 页

 型号IXFN94N50P2参数

  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 68A SOT227B
  • 管件: ¥234.84000
  • 产品状态: 在售
  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 68A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 8mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 220 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值): ±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13700 pF @ 25 V
  • FET 功能: -
  • 功率耗散(最大值): 780W(Tc)
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 底座安装
  • 供应商器件封装: SOT-227B
  • 封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
IXFN34N80

1000 原厂品牌 标准封装 最新批次 -

留言

IXFN34N80

1000 原厂品牌 标准封装 最新批次 -

点击这里给我发送消息

留言

在线人工客服

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

010-82614113

客服在线时间周一至周五
9:00-17:30