你好,欢迎访问达普芯片交易网!|  电话:010-82614113

如您有本站未收集的PDF资料,您可在线上传该PDF资料以让更多人共享您的资源,谢谢!

达普首页 > PDF首页  > IXDT30N120D1 PDF资料

IXDT30N120D1

点击立即下载PDF资料

型号:IXDT30N120D1

描述:IXYS Corporation

厂商:High Voltage IGBT with Optional Diode

PDF大小:86 K

页数:4 页

 型号IXDT30N120参数

  • IXYS
  • IGBT 1200V 60A 300W TO268AA
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • IGBT 类型: NPT
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 60 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm): -
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值): 2.9V @ 15V,30A
  • 功率 - 最大值: 300 W
  • 开关能量: -
  • 输入类型: 标准
  • 栅极电荷: 120 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值: -
  • 测试条件: -
  • 反向恢复时间 (trr): -
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
  • 供应商器件封装: TO-268AA
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
IXDT30N120D1

1000 IXYS 原厂封装 最新批次 -

点击这里给我发送消息

留言

IXDT30N120D1

1000 IXYS 原厂封装 最新批次 -

留言

在线人工客服

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

010-82614113

客服在线时间周一至周五
9:00-17:30