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型号:IXBT6N170

描述:IXYS Corporation

厂商:High Voltage, High Gain Bipolar MOS Transistor

PDF大小:111 K

页数:2 页

 型号IXBT6N170参数

  • IXYS
  • IGBT 1700V 12A 75W TO268
  • 管件: ¥92.85000
  • 产品状态: 在售
  • IGBT 类型: -
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 1700 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 12 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 36 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值): 3.4V @ 15V,6A
  • 功率 - 最大值: 75 W
  • 开关能量: -
  • 输入类型: 标准
  • 栅极电荷: 17 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值: -
  • 测试条件: -
  • 反向恢复时间 (trr): 1.08 μs
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
  • 供应商器件封装: TO-268AA
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
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1000 IXYS 原厂封装 16+/17+ -

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