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型号:IXBF9N140G

描述:IXYS Corporation

厂商:High Voltage Bipolar MOS Transistor

PDF大小:74 K

页数:4 页

 型号IXBF9N160G参数

  • IXYS
  • IGBT 1600V 7A 70W I4PAC
  • 管件: ¥49.46000
  • 产品状态: 在售
  • IGBT 类型: -
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 1600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 7 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm): -
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值): 7V @ 15V,5A
  • 功率 - 最大值: 70 W
  • 开关能量: -
  • 输入类型: 标准
  • 栅极电荷: 34 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值: -
  • 测试条件: 960V,5A,27 欧姆,10V
  • 反向恢复时间 (trr): -
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: i4-Pac?-5(3 引线)
  • 供应商器件封装: ISOPLUS i4-PAC?
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
IXBF9N140G

500 - - 最新批号 原装现货

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