型号ISP650P06NMXTSA1参数

• Infineon Technologies
• MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4
• 剪切带（CT）: ￥13.67000,卷带（TR）: ￥7.70265
• 产品状态: 在售
• FET 类型: P 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 65 毫欧 @ 3.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1.037mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: ±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1600 pF @ 30 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 1.8W（Ta），4.2W（Tc）
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: PG-SOT223-4
• 封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA