型号IRLS640A参数

• onsemi
• MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220F
• 管件: ￥14.36000
• 系列: -
• 产品状态: 最后售卖
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 180 毫欧 @ 4.9A，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 56 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）: ±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1705 pF @ 25 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 40W（Tc）
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 通孔
• 供应商器件封装: TO-220F-3
• 封装/外壳: TO-220-3 整包