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型号:IRGS4B60K

描述:International Rectifier Corp.

厂商:Insulated Gate Bipolar Transistor

PDF大小:295 K

页数:13 页

 型号IRGSL6B60KPBF参数

  • Infineon Technologies
  • IGBT 600V 13A 90W TO262
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • IGBT 类型: NPT
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 13 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 26 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值): 2.2V @ 15V,5A
  • 功率 - 最大值: 90 W
  • 开关能量: 110μJ(开),135μJ(关)
  • 输入类型: 标准
  • 栅极电荷: 18.2 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值: 25ns/215ns
  • 测试条件: 400V,5A,100 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr): -
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
  • 供应商器件封装: TO-262
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