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型号:IRG4BC30KD

描述:International Rectifier Corp.

厂商:Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

PDF大小:196 K

页数:10 页

 型号IRG4RC20FTRR参数

  • Infineon Technologies
  • IGBT 600V 22A 66W DPAK
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • IGBT 类型: -
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 22 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 44 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值): 2.1V @ 15V,12A
  • 功率 - 最大值: 66 W
  • 开关能量: 190μJ(开),920μJ(关)
  • 输入类型: 标准
  • 栅极电荷: 27 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值: 26ns/194ns
  • 测试条件: 480V,12A,50 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr): -
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • 供应商器件封装: D-Pak

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