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型号:IRF5N5210

描述:International Rectifier Corp.

厂商:HEXFET Power MOSFET

PDF大小:118 K

页数:7 页

 型号IRF5852TRPBF参数

  • Infineon Technologies
  • MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
  • 产品状态: 停产
  • FET 类型: 2 N-通道(双)
  • FET 功能: 逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.7A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 90 毫欧 @ 2.7A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.25V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 6nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 400pF @ 15V
  • 功率 - 最大值: 960mW
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 供应商器件封装: 6-TSOP
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
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