型号IRF5852TRPBF参数

• Infineon Technologies
• MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
• 产品状态: 停产
• FET 类型: 2 N-通道（双）
• FET 功能: 逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）: 20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 90 毫欧 @ 2.7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.25V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 400pF @ 15V
• 功率 - 最大值: 960mW
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装: 6-TSOP