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IRF3711STRR

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型号:IRF3711STRR

描述:International Rectifier Corp.

厂商:HEXFET Power MOSFET

PDF大小:234 K

页数:11 页

 型号IRF3808STRLPBF参数

  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
  • 剪切带(CT): ¥26.96000,卷带(TR): ¥16.94891
  • 产品状态: 在售
  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 75 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 106A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7 毫欧 @ 82A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 220 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值): ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5310 pF @ 25 V
  • FET 功能: -
  • 功率耗散(最大值): 200W(Tc)
  • 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 供应商器件封装: D2PAK
  • 封装/外壳: TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
IRF3711STRRPBF

1000 Infineon Technologies 原厂封装 最近三年批次 -

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