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IGD01N120H2

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型号:IGD01N120H2

描述:Infineon Technologies Corporation

厂商:High Speed 2-Technology IGBT

PDF大小:362 K

页数:13 页

 型号IGD06N65T6ARMA1参数

  • Infineon Technologies
  • HOME APPLIANCES 14 PG-TO252-3
  • 卷带(TR): ¥4.23166
  • 产品状态: 不适用于新设计
  • IGBT 类型: 沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 9 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 18 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值): 1.9V @ 15V,3A
  • 功率 - 最大值: 31 W
  • 开关能量: 60μJ(开),30μJ(关)
  • 输入类型: 标准
  • 栅极电荷: 13.7 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值: 15ns/35ns
  • 测试条件: 400V,3A,47 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr): -
  • 工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • 供应商器件封装: PG-TO252-3
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
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