型号HAT1126RWS-E参数

• Renesas Electronics America Inc
• MOSFET P-CH SOP8
• 系列: -
• 产品状态: 停产
• FET 类型: 2 个 P 沟道（双）
• FET 功能: 逻辑电平栅极，4.5V 驱动
• 漏源电压（Vdss）: 60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 50 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 37nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2300pF @ 10V
• 功率 - 最大值: 3W（Ta）
• 工作温度: 150°C
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装: 8-SOP