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 型号HAT1126RWS-E参数

  • Renesas Electronics America Inc
  • MOSFET P-CH SOP8
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能: 逻辑电平栅极,4.5V 驱动
  • 漏源电压(Vdss): 60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 @ 3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 37nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2300pF @ 10V
  • 功率 - 最大值: 3W(Ta)
  • 工作温度: 150°C
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装: 8-SOP

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