如您有本站未收集的PDF资料，您可在线上传该PDF资料以让更多人共享您的资源，谢谢!
达普首页 > PDF首页 > 数字类 > 可擦可编程只读存储器 > HZU6.8Z PDF资料
HZU6.8Z
型号：HZU6.8Z
描述：Renesas Technology America, Inc.
厂商：Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb
PDF大小：84 K
页数：8 页
型号HZU6.8B2JTRF-E参数
- Renesas
- HZU6.8B - ZENER DIODE
- 散装: ￥0.80653
- 系列: -
- 产品状态: 停产
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 6.8 V
- 容差: ±4.93%
- 功率 - 最大值: 200 mW
- 阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 μA @ 3.5 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -
- 工作温度: 150°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: SC-76A
- 供应商器件封装: 2-URP
热门型号:
BZX84-C4V3 (4.3V)D38999/20WC98SN-LC144-02A12D38999/24WA98PN-LCECC-D3A331JGEECA-0JFQ122L770990-4B41456B9229M003CFM14W1.00K5RAT49LV001T-12JCSN74LVC1G125DCKRDS1E-SL-DC1.5VCBJ00100RAAH755169-AD38999/20WB35PAFCN13929_BARBARA-WW-PF-VERO13/18CXA3264TN-T41173-IC202AECA-1VFQ182SISP1160 DEMO BOARDVSP9437B-XZ-C3PAL8L14ACJS48168946780B4003TVJ1210A430JBCAT4XD38999/24WC98SN-LC5ST10MA1070000L/M2WD38999/20WE35PN
