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HZU10B2
型号：HZU10B2
描述：Renesas Technology America, Inc.
厂商：Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilizer
PDF大小：37 K
页数：9 页
型号HZU18B2JTRF-E参数
- Renesas
- HZU18B - ZENER DIODE
- 散装: ￥0.80653
- 系列: -
- 产品状态: 停产
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 17.96 V
- 容差: ±2.2%
- 功率 - 最大值: 200 mW
- 阻抗（最大值）(Zzt): 45 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 μA @ 13 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -
- 工作温度: 150°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: SC-76A
- 供应商器件封装: 2-URP
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HZU10B2TRF-E10V | | 500 | - | - | 最新批号 | 最新供应 | |
| HZU10B2/10V
|
| 1000 | 原厂无铅 | 参考PDF | 0802+ | - | |
| HZU10B2/10V
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| 1000 | 原厂无铅 | 参考PDF | 0802+ | - | |
| HZU10B2TRF(10v/08)
|
| 1000 | HITACHI | 原装 | | 最新批次 | - | |
| HZU10B2TRF(10v/08)
|
| 1000 | HITACHI | 原装 | | 最新批次 | - |
热门型号:
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