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HZM9.1NB3
型号：HZM9.1NB3
描述：Renesas Technology America, Inc.
厂商：Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer
PDF大小：43 K
页数：10 页
型号HZM9.1NB1TL-E参数
- Renesas
- HZM9.1N - ZENER DIODE
- 散装: ￥0.98542
- 系列: -
- 产品状态: 停产
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 8.75 V
- 容差: ±2.11%
- 功率 - 最大值: 200 mW
- 阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 μA @ 6 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -
- 工作温度: 150°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装: 3-MPAK
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HZM9.1NB3TL
|
| 1000 | 原装HITACHI | SOT-23 | 新 | - | |
| HZM9.1NB3TL
|
| 1000 | 原装HITACHI | SOT-23 | 新 | - | |
| HZM9.1NB3TL(9.1V)
|
| 1000 | SOT-153 | HITACHI | 06+ | - | |
| HZM9.1NB3TL(9.1V)
|
| 1000 | SOT-153 | HITACHI | 06+ | - | |
| HZM9.1NB3TL(913)
|
| 1000 | HITACHI | - | 08/09+ | - | |
| HZM9.1NB3TL(913)
|
| 1000 | HITACHI | - | 08/09+ | - |
热门型号:
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