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HZM3.3NB
型号：HZM3.3NB
描述：Renesas Technology America, Inc.
厂商：Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilizer
PDF大小：43 K
页数：10 页
型号HZM33NBTR-E参数
- Renesas
- HZM33N - ZENER DIODE
- 散装: ￥0.98542
- 系列: -
- 产品状态: 停产
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 33 V
- 容差: ±6.06%
- 功率 - 最大值: 200 mW
- 阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 μA @ 25 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -
- 工作温度: 150°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装: 3-MPAK
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HZM3.3NB1TL
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| 1000 | HITACHI | 原厂原封装 | 21+ | - | |
| HZM3.3NB1TL
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| 1000 | HITACHI | 原厂原封装 | 21+ | - | |
| HZM3.3NB1TL/3.3V
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| 1000 | NULL | NULL | 21+ | - | |
| HZM3.3NB1TL/3.3V
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| 1000 | NULL | NULL | 21+ | - | |
| HZM3.3NB1TL3.3V
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| 1000 | 原装进口 | 提供PDF | 0618+ | - | |
| HZM3.3NB1TL3.3V
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| 1000 | 原装进口 | 提供PDF | 0618+ | - |
热门型号:
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