型号HN3C51F-GR(TE85L,F参数

• Toshiba Semiconductor and Storage
• TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
• 系列: -
• 产品状态: 停产
• 晶体管类型: 2 NPN（双）
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）: 120V
• 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 1mA，10mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
• 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 200 @ 2mA，6V
• 功率 - 最大值: 300mW
• 频率 - 跃迁: 100MHz
• 工作温度: 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: SC-74，SOT-457
• 供应商器件封装: SM6