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HN2C12FU
型号：HN2C12FU
描述：Toshiba America, Inc.
厂商：Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
PDF大小：986 K
页数：1 页
型号HN2C01FU-Y(TE85L,F参数
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
- 剪切带（CT）: ￥3.61000,卷带（TR）: ￥0.68382
- 系列: -
- 产品状态: 在售
- 晶体管类型: 2 NPN（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 150mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
- 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）: 250mV @ 10mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 120 @ 2mA，6V
- 功率 - 最大值: 200mW
- 频率 - 跃迁: 80MHz
- 工作温度: 125°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装: US6
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HN2C12FUUP |
| 500 | - | - | 最新批号 | 最新供应 | |
| HN2C12FU/UP
|
| 1000 | TOSHIBA | SOT-363 | 新 | - | |
| HN2C12FU/UP
|
| 1000 | TOSHIBA | SOT-363 | 新 | - | |
| HN2C12FU\UP
|
| 1000 | TOSHIBA | SMD | N/A | - | |
| HN2C12FU\UP
|
| 1000 | TOSHIBA | SMD | N/A | - | |
| HN2C12FU-0
|
| 1000 | TOSHIBA | US6 | 新 | - |
热门型号:
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