型号HN1C03FU-B,LF参数

• Toshiba Semiconductor and Storage
• NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
• 剪切带（CT）: ￥3.00000,卷带（TR）: ￥0.55357
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• 晶体管类型: 2 NPN（双）
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 300mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）: 20V
• 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）: 100mV @ 3mA，30A
• 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
• 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 350 @ 4mA，2V
• 功率 - 最大值: 200mW
• 频率 - 跃迁: 30MHz
• 工作温度: 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装: US6