型号HN1B04FU-Y,LXHF参数

• Toshiba Semiconductor and Storage
• AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
• 剪切带（CT）: ￥3.30000,卷带（TR）: ￥0.94026
• 产品状态: 在售
• 晶体管类型: NPN，PNP
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 150mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
• 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）: 250mV @ 10mA， 100mA， 300mV @ 10mA， 100mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
• 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 120 @ 2mA，6V
• 功率 - 最大值: 200mW
• 频率 - 跃迁: 150MHz，120MHz
• 工作温度: -
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装: US6