你好,欢迎访问达普芯片交易网!|  电话:010-82614113

如您有本站未收集的PDF资料,您可在线上传该PDF资料以让更多人共享您的资源,谢谢!

达普首页 > PDF首页  > 模拟类  > 齐纳二极管  > HGTG30N60B3D PDF资料

HGTG30N60B3D

点击立即下载PDF资料

型号:HGTG30N60B3D

描述:Fairchild Semiconductor

厂商:60 A, 600 V, UFS N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

PDF大小:214 K

页数:8 页

 型号HGTG30N60B3D参数

  • onsemi
  • IGBT 600V 60A TO247-3
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • IGBT 类型: -
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 60 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 220 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值): 1.9V @ 15V,30A
  • 功率 - 最大值: 208 W
  • 开关能量: 550μJ(开),680μJ(关)
  • 输入类型: 标准
  • 栅极电荷: 170 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值: 36ns/137ns
  • 测试条件: 480V,30A,3 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr): 55 ns
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: TO-247-3
  • 供应商器件封装: TO-247-3

在线人工客服

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

010-82614113

客服在线时间周一至周五
9:00-17:30