型号HGTD3N60C3S9A参数

• onsemi
• IGBT 600V 6A 33W TO252AA
• 系列: -
• 产品状态: 停产
• IGBT 类型: -
• 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 6 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 24 A
• 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）: 2V @ 15V，3A
• 功率 - 最大值: 33 W
• 开关能量: 85μJ（开），245μJ（关）
• 输入类型: 标准
• 栅极电荷: 10.8 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值: -
• 测试条件: 480V，3A，82 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr): -
• 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
• 供应商器件封装: TO-252AA